商品型号: F501D
制造厂商: PIP(丽隽)
封装规格: SOT-23
商品毛重: 0.10g
商品编号: CY243400
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30mA 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:700Ω @ 3mA,0V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道 600V
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封装: 20.2x10x15.5
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 30mA | |
栅源极阈值电压 | - | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 500mW | |
类型 | N沟道 |
F501D由PIP(丽隽)设计生产,在芯云购商城现货销售,F501D价格参考¥9.546300。PIP(丽隽)F501D封装/规格:SOT-23,连续漏极电流(Id)(25°C 时):30mA 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:700Ω @ 3mA,0V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道 600V
手机版:F501D
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