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F501D

商品型号: F501D

制造厂商: PIP(丽隽)

封装规格: SOT-23

商品毛重: 0.10g

商品编号: CY243400

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30mA 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:700Ω @ 3mA,0V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道 600V

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥9.5463

总   价: ¥95.46

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 30mA
栅源极阈值电压 -
最大功率耗散(Ta=25°C) 500mW
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):30mA 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:700Ω @ 3mA,0V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道 600V

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F501D由PIP(丽隽)设计生产,在芯云购商城现货销售,F501D价格参考¥9.546300。PIP(丽隽)F501D封装/规格:SOT-23,连续漏极电流(Id)(25°C 时):30mA 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:700Ω @ 3mA,0V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道 600V

手机版:F501D