商品型号： CJT04N15
制造厂商： CJ(江苏长电 长晶)
封装规格： SOT-223
商品毛重： 0.24g
商品编号： CY815772
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：160mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | - | |
| 类型 | N沟道 |
CJT04N15由CJ(江苏长电 长晶)设计生产,在芯云购商城现货销售,CJT04N15价格参考￥6.203100。CJ(江苏长电 长晶)CJT04N15封装/规格：SOT-223,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：160mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
手机版：CJT04N15
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