商品型号： KIA30N06BD
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.45g
商品编号： CY989081
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34.7W 类型：N沟道 环保
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 25A | |
| 类型 | N沟道 |
KIA30N06BD由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KIA30N06BD价格参考￥9.388800。KIA 半导体KIA30N06BD封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34.7W 类型：N沟道 环保
手机版：KIA30N06BD
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