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CPH3351-TL-W

商品型号： CPH3351-TL-W

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： SOT-23(SOT-23-3)

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY253256

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.8A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.6V @ 1mA 漏源导通电阻：250mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道功率场效应管MOSFET, -60V, 250mΩ, -1.8A, 单P沟,SOT-23

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	1.8A
最大功率耗散（Ta=25°C）	1W
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.8A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.6V @ 1mA 漏源导通电阻：250mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道功率场效应管MOSFET, -60V, 250mΩ, -1.8A, 单P沟,SOT-23

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CPH3351-TL-W由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,CPH3351-TL-W价格参考￥5.072200。ON(安森美)CPH3351-TL-W封装/规格：SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.8A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.6V @ 1mA 漏源导通电阻：250mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道功率场效应管MOSFET, -60V, 250mΩ, -1.8A, 单P沟,SOT-23

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