商品型号： PPMT30V4
制造厂商： Prisemi 芯导
封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY942766
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：P沟道 P沟,-30V,-4.2A,53mΩ@-10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | P沟道 |
PPMT30V4由Prisemi 芯导设计生产,在芯云购商城现货销售,PPMT30V4价格参考￥7.147900。Prisemi 芯导PPMT30V4封装/规格：SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：P沟道 P沟,-30V,-4.2A,53mΩ@-10V
手机版：PPMT30V4
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