商品型号： NCE20P45Q
制造厂商： 无锡新洁能
封装规格： DFN 3.3x3.3
商品毛重： 0.11g
商品编号： CY886571
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-19V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：80W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,-19V,-45A,7mΩ@-4.5V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | P沟道 |
NCE20P45Q由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE20P45Q价格参考￥3.500600。无锡新洁能NCE20P45Q封装/规格：DFN 3.3x3.3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-19V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：80W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,-19V,-45A,7mΩ@-4.5V
手机版：NCE20P45Q
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