商品型号: NCE20P45Q
制造厂商: 无锡新洁能
封装规格: DFN 3.3x3.3
商品毛重: 0.11g
商品编号: CY886571
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A(Tc) 漏源电压(Vdss):-19V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):80W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-19V,-45A,7mΩ@-4.5V
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
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商品目录 | MOS(场效应管) | |
类型 | P沟道 |
NCE20P45Q由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE20P45Q价格参考¥3.500600。无锡新洁能NCE20P45Q封装/规格:DFN 3.3x3.3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A(Tc) 漏源电压(Vdss):-19V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):80W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-19V,-45A,7mΩ@-4.5V
手机版:NCE20P45Q
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