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NCE20P45Q

商品型号: NCE20P45Q

制造厂商: 无锡新洁能

封装规格: DFN 3.3x3.3

商品毛重: 0.11g

商品编号: CY886571

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A(Tc) 漏源电压(Vdss):-19V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):80W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-19V,-45A,7mΩ@-4.5V

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商品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A(Tc) 漏源电压(Vdss):-19V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):80W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-19V,-45A,7mΩ@-4.5V

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NCE20P45Q由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE20P45Q价格参考¥3.500600。无锡新洁能NCE20P45Q封装/规格:DFN 3.3x3.3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A(Tc) 漏源电压(Vdss):-19V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):80W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-19V,-45A,7mΩ@-4.5V

手机版:NCE20P45Q