BSS670S2LH6327XTSA1

商品型号： BSS670S2LH6327XTSA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： SOT-23(SOT-23-3)

商品毛重： 0.02g

商品编号： CY393576

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：540mA 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：2V @ 2.7uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 270mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW 类型：N沟道 N沟道,55V,540mA,650mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
最大功率耗散（Ta=25°C）	360mW
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：540mA 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：2V @ 2.7uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 270mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW 类型：N沟道 N沟道,55V,540mA,650mΩ@10V

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BSS670S2LH6327XTSA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSS670S2LH6327XTSA1价格参考￥6.570000。Infineon(英飞凌)BSS670S2LH6327XTSA1封装/规格：SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：540mA 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：2V @ 2.7uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 270mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW 类型：N沟道 N沟道,55V,540mA,650mΩ@10V

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