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WNM2077-3/TR

商品型号: WNM2077-3/TR

制造厂商: 3PEAK

封装规格: SOT-723

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY133151

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):510mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:600mΩ @ 350mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):310mW 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 510mA
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):510mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:600mΩ @ 350mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):310mW 类型:N沟道

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WNM2077-3/TR由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,WNM2077-3/TR价格参考¥8.086000。3PEAKWNM2077-3/TR封装/规格:SOT-723,连续漏极电流(Id)(25°C 时):510mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:600mΩ @ 350mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):310mW 类型:N沟道

手机版:WNM2077-3/TR