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NCE7560K

商品型号: NCE7560K

制造厂商: 无锡新洁能

封装规格: TO-252-2(DPAK)

商品毛重: 0.55g

商品编号: CY166861

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):75V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):140W 类型:N沟道 N沟道MOSFET. VDS=75V, ID=60A. 导通电阻<8.5mR

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 75V
最大功率耗散(Ta=25°C) 140W
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):75V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):140W 类型:N沟道 N沟道MOSFET. VDS=75V, ID=60A. 导通电阻<8.5mR

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NCE7560K由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE7560K价格参考¥5.105000。无锡新洁能NCE7560K封装/规格:TO-252-2(DPAK),连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):75V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):140W 类型:N沟道 N沟道MOSFET. VDS=75V, ID=60A. 导通电阻<8.5mR

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