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NX3008CBKS,115

商品型号: NX3008CBKS,115

制造厂商: Nexperia(安世)

封装规格: SOT363

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY365723

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):350mA,200mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 350mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):445mW 类型:N沟道和P沟道 MOSFET N/P-CH 30V

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总   价: ¥62.15

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 N沟道和P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):350mA,200mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 350mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):445mW 类型:N沟道和P沟道 MOSFET N/P-CH 30V

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NX3008CBKS,115由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,NX3008CBKS,115价格参考¥6.215200。Nexperia(安世)NX3008CBKS,115封装/规格:SOT363,连续漏极电流(Id)(25°C 时):350mA,200mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 350mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):445mW 类型:N沟道和P沟道 MOSFET N/P-CH 30V

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