商品型号： WSD3066DN33
制造厂商： WINSOK微硕
封装规格： DFN 3.3x3.3-8
商品毛重： 0.13g
商品编号： CY903059
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5.7mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道 N沟道.30V/66A.5.5mΩ.功能与脚位等同AON7534
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货205(3000起订)
数 量: X ￥9.4122
总 价: ￥9.41
包 装:「圆盘 / 3000」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
1+
￥9.4122
10+
￥9.3465
30+
￥9.2772
100+
￥9.2079
500+
￥9.1386
1000+
￥9.0693
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
WSD3066DN33由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSD3066DN33价格参考￥9.412200。WINSOK微硕WSD3066DN33封装/规格：DFN 3.3x3.3-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5.7mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道 N沟道.30V/66A.5.5mΩ.功能与脚位等同AON7534
手机版：WSD3066DN33
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监