商品型号： 1N60L-T92-K
制造厂商： 3PEAK
封装规格： TO-92(TO-92-3)
商品毛重： 0.34g
商品编号： CY295282
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.2A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 N沟道,600V,1.2A,11.5Ω@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.2A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W | |
| 类型 | N沟道 |
1N60L-T92-K由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,1N60L-T92-K价格参考￥1.033800。3PEAK1N60L-T92-K封装/规格：TO-92(TO-92-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.2A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 N沟道,600V,1.2A,11.5Ω@10V
手机版：1N60L-T92-K
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