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BSC109N10NS3G

商品型号： BSC109N10NS3G

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TDSON-8

商品毛重： 0.15g

商品编号： CY620714

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：63A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 45uA 漏源导通电阻：10.9mΩ @ 46A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：63A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 45uA 漏源导通电阻：10.9mΩ @ 46A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：N沟道

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BSC109N10NS3G由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSC109N10NS3G价格参考￥3.492600。Infineon(英飞凌)BSC109N10NS3G封装/规格：PG-TDSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：63A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 45uA 漏源导通电阻：10.9mΩ @ 46A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：N沟道

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