商品型号： MEM2313SG
制造厂商： 3PEAK
封装规格： SOIC-8_150mil
商品毛重： 0.21g
商品编号： CY085927
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：双P沟道 P沟道,-30V,-6A,52mΩ@-10V
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W |
MEM2313SG由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,MEM2313SG价格参考￥6.245800。3PEAKMEM2313SG封装/规格：SOIC-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：双P沟道 P沟道,-30V,-6A,52mΩ@-10V
手机版：MEM2313SG
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