商品型号： IPT015N10N5
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-HSOF-8
商品毛重： 1.30g
商品编号： CY282594
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.8V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5mΩ @ 150A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W 类型：N沟道 N沟道,100V,300A,1.3mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 300A | |
| 类型 | N沟道 |
IPT015N10N5由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPT015N10N5价格参考￥9.099000。Infineon(英飞凌)IPT015N10N5封装/规格：PG-HSOF-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.8V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5mΩ @ 150A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W 类型：N沟道 N沟道,100V,300A,1.3mΩ@10V
手机版：IPT015N10N5
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