商品型号： UMW1N60G
制造厂商： UMW(友台半导体)
封装规格： SOT-223
商品毛重： 0.25g
商品编号： CY763532
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道 G表示SOT-223封装
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | - | |
| 类型 | N沟道 |
UMW1N60G由UMW(友台半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,UMW1N60G价格参考￥6.330600。UMW(友台半导体)UMW1N60G封装/规格：SOT-223,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道 G表示SOT-223封装
手机版：UMW1N60G
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