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RZM001P02T2L

商品型号： RZM001P02T2L

制造厂商： ROHM(罗姆)

封装规格： VMT3

商品毛重： 0.01g

商品编号： CY817903

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 100uA 漏源导通电阻：3.8Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	100mA
最大功率耗散（Ta=25°C）	150mW
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 100uA 漏源导通电阻：3.8Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：P沟道

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手机版：RZM001P02T2L