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L2N7002SLT1G

商品型号: L2N7002SLT1G

制造厂商: LRC(乐山无线电)

封装规格: SOT-23

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY600108

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):320mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道 60V

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥4.5196

总   价: ¥225.98

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
最大功率耗散(Ta=25°C) 300mW
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):320mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道 60V

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L2N7002SLT1G由LRC(乐山无线电)设计生产,在芯云购商城现货销售,L2N7002SLT1G价格参考¥4.519600。LRC(乐山无线电)L2N7002SLT1G封装/规格:SOT-23,连续漏极电流(Id)(25°C 时):320mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道 60V

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