商品型号： HY1908D
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.49g
商品编号： CY372934
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：64W 类型：N沟道 N沟道MOSFET. VDS=80V, ID=90A,TO-252 导通电阻 7mR，可替换IRFR1205,IRFR3607,IRFR2407,IRLR3636,AOD2610
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货6746(2500起订)
数 量: X ￥7.1682
总 价: ￥7.17
包 装:「圆盘 / 2500」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
1+
￥7.1682
10+
￥7.1425
30+
￥7.114
100+
￥7.0855
500+
￥7.057
1000+
￥7.0285
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | |
| 类型 | N沟道 |
HY1908D由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY1908D价格参考￥7.168200。HUAYI(华羿微)HY1908D封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：64W 类型：N沟道 N沟道MOSFET. VDS=80V, ID=90A,TO-252 导通电阻 7mR，可替换IRFR1205,IRFR3607,IRFR2407,IRLR3636,AOD2610
手机版：HY1908D
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监