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ESD5Z12T1G-N

商品型号： ESD5Z12T1G-N

制造厂商： BORN伯恩半导体

封装规格： SOD-523

商品毛重： 0.02g

商品编号： CY523270

数据手册：在线预览

商品描述：反向关断电压（典型值）：12V 击穿电压（最小值）：13.3V 峰值脉冲电流（10/1000us）：10A (8/20us) 极性：Unidirectional 箝位电压：35V 7V 功率350W IPP=10A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	ESD二极管
反向关断电压（典型值）	12V
极性	Unidirectional
箝位电压	35V
峰值脉冲电流（10/1000us）	10A (8/20us)

反向关断电压（典型值）：12V 击穿电压（最小值）：13.3V 峰值脉冲电流（10/1000us）：10A (8/20us) 极性：Unidirectional 箝位电压：35V 7V 功率350W IPP=10A

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ESD5Z12T1G-N由BORN伯恩半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,ESD5Z12T1G-N价格参考￥4.302400。BORN伯恩半导体ESD5Z12T1G-N封装/规格：SOD-523,反向关断电压（典型值）：12V 击穿电压（最小值）：13.3V 峰值脉冲电流（10/1000us）：10A (8/20us) 极性：Unidirectional 箝位电压：35V 7V 功率350W IPP=10A

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