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PESD5V0V1BA-N

商品型号： PESD5V0V1BA-N

制造厂商： BORN伯恩半导体

封装规格： SOD-323

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY256115

数据手册：在线预览

商品描述：反向关断电压（典型值）：5V 击穿电压（最小值）：6V 峰值脉冲电流（10/1000us）：17A (8/20us) 极性：Bidirectional 箝位电压：21V VRWM=5V Bipolar

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	ESD二极管
反向关断电压（典型值）	5V
击穿电压（最小值）	6V
极性	Bidirectional
箝位电压	21V

反向关断电压（典型值）：5V 击穿电压（最小值）：6V 峰值脉冲电流（10/1000us）：17A (8/20us) 极性：Bidirectional 箝位电压：21V VRWM=5V Bipolar

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PESD5V0V1BA-N由BORN伯恩半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,PESD5V0V1BA-N价格参考￥5.581100。BORN伯恩半导体PESD5V0V1BA-N封装/规格：SOD-323,反向关断电压（典型值）：5V 击穿电压（最小值）：6V 峰值脉冲电流（10/1000us）：17A (8/20us) 极性：Bidirectional 箝位电压：21V VRWM=5V Bipolar

手机版：PESD5V0V1BA-N