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Rclamp3311P-N

商品型号: Rclamp3311P-N

制造厂商: BORN伯恩半导体

封装规格: DFN1006

商品毛重: 0.01g

商品编号: CY976825

数据手册: 在线预览

商品描述: 反向关断电压(典型值):3.3V 击穿电压(最小值):3.8V 峰值脉冲电流(10/1000us):10A (8/20us) 极性:Bidirectional 箝位电压:8V VRWM=3.3V Bipolar

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥8.4822

总   价: ¥169.64

包   装:「圆盘 / 10000」

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 ESD二极管
反向关断电压(典型值) 3.3V
击穿电压(最小值) 3.8V
极性 Bidirectional
箝位电压 8V
峰值脉冲电流(10/1000us) 10A (8/20us)
反向关断电压(典型值):3.3V 击穿电压(最小值):3.8V 峰值脉冲电流(10/1000us):10A (8/20us) 极性:Bidirectional 箝位电压:8V VRWM=3.3V Bipolar

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Rclamp3311P-N由BORN伯恩半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,Rclamp3311P-N价格参考¥8.482200。BORN伯恩半导体Rclamp3311P-N封装/规格:DFN1006,反向关断电压(典型值):3.3V 击穿电压(最小值):3.8V 峰值脉冲电流(10/1000us):10A (8/20us) 极性:Bidirectional 箝位电压:8V VRWM=3.3V Bipolar

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