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PTVS3V3D1BALYL-N

商品型号： PTVS3V3D1BALYL-N

制造厂商： BORN伯恩半导体

封装规格： DFN1006

商品毛重： 0.01g

商品编号： CY341471

数据手册：在线预览

商品描述：反向关断电压（典型值）：4.5V 击穿电压（最小值）：4.7V 峰值脉冲电流（10/1000us）：45A (8/20us) 极性：Bidirectional 箝位电压：11V VRWM=4.5V Bipolar

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	ESD二极管
反向关断电压（典型值）	4.5V
击穿电压（最小值）	4.7V
极性	Bidirectional
箝位电压	11V

反向关断电压（典型值）：4.5V 击穿电压（最小值）：4.7V 峰值脉冲电流（10/1000us）：45A (8/20us) 极性：Bidirectional 箝位电压：11V VRWM=4.5V Bipolar

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PTVS3V3D1BALYL-N由BORN伯恩半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,PTVS3V3D1BALYL-N价格参考￥9.496500。BORN伯恩半导体PTVS3V3D1BALYL-N封装/规格：DFN1006,反向关断电压（典型值）：4.5V 击穿电压（最小值）：4.7V 峰值脉冲电流（10/1000us）：45A (8/20us) 极性：Bidirectional 箝位电压：11V VRWM=4.5V Bipolar

手机版：PTVS3V3D1BALYL-N