商品型号: IRFB4710
制造厂商: Infineon(英飞凌)
封装规格: TO220
商品毛重: 0.95g
商品编号: CY135314
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商品描述: 类型:N沟道P沟道 漏源电压(Vdss):13.5V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10mA 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA 漏源导通电阻:0.65mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125mW
数量
价格
1+
¥6
10+
¥5.8
100+
¥5.5
1000+
¥5
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
品牌: FANHAR(浙江凡华)
封装: 20.2x10x15.5
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-220
¥8.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TOP3
¥20.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
类型 | N沟道P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 13.5V | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 10mA | |
栅源极阈值电压 | 450mV @ 250uA | |
漏源导通电阻 | 0.65mΩ @ 100A,10V | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 125mW |
IRFB4710 英飞凌 IRFB4710PBF MOS场效应管 N沟道三极管
IRFB4710由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFB4710价格参考¥6.000000。Infineon(英飞凌)IRFB4710封装/规格:TO220,类型:N沟道P沟道 漏源电压(Vdss):13.5V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10mA 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA 漏源导通电阻:0.65mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125mW
手机版:IRFB4710
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