商品型号： IRFB4710
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： TO220
商品毛重： 0.95g
商品编号： CY135314
数据手册：
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商品描述： 类型:N沟道P沟道 漏源电压（Vdss）:13.5V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）:10mA 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA 漏源导通电阻:0.65mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）:125mW
数量
价格
1+
￥6
10+
￥5.8
100+
￥5.5
1000+
￥5
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | N沟道P沟道 | |
| 漏源电压（Vdss） | 13.5V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10mA | |
| 栅源极阈值电压 | 450mV @ 250uA | |
| 漏源导通电阻 | 0.65mΩ @ 100A,10V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 125mW |
IRFB4710 英飞凌 IRFB4710PBF MOS场效应管 N沟道三极管
IRFB4710由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFB4710价格参考￥6.000000。Infineon(英飞凌)IRFB4710封装/规格：TO220,类型:N沟道P沟道 漏源电压（Vdss）:13.5V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）:10mA 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA 漏源导通电阻:0.65mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）:125mW
手机版：IRFB4710
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