LM5113QDPRRQ1 适用于 GaNFET 的汽车类 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动器

商品型号： LM5113QDPRRQ1

制造厂商： TI(德州仪器)

封装规格： WSON (DPR) 10

商品毛重： 0.05g

商品编号： CY920697

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商品描述： LM5113QDPRRQ1 20+ WSON (DPR) 10

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商品目录	全桥/半桥驱动

LM5113-Q1 的特性

符合汽车应用标准
具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
- 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 1C
- 器件带电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C6
独立的高侧和低侧TTL 逻辑输入
1.2A 峰值拉电流能力，5A 峰值灌电流能力
高侧浮动偏置电压轨
工作电压高达 100VDC
内部自举电源电压钳位
分离输出实现可调的
开通和关断应力
0.6Ω 下拉电阻，2.1Ω 上拉电阻
快速传播时间（典型值为 28ns）
优异的传播延迟
（典型值为 1.5ns)
电源轨欠压锁定
低功耗
LM5113-Q1 的说明LM5113-Q1 专为同时驱动采用同步降压、升压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓 (GaN) FET 或硅质 MOSFET 而设计，适用于汽车应用。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管，还为高侧和低侧输出分别提供了独立的输入，可实现最大程度的灵活控制。高侧偏置电压在内部被钳位为 5.2V，可防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅极/源极电压额定值。器件的输入与 TTL 逻辑兼容，无论 VDD 电压多高，它都能够承受高达 14V 的输入电压。LM5113-Q1 具有分栅输出的能力，可独立灵活地调节开通和关断强度。