2024/4/12 18:52:32
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1 特性
• 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
– 器件温度等级 1： –40°C 至 125°C，TA
– 器件 HBM ESD 分类等级 2
– 器件 CDM ESD 分类等级 C6
• 采用可湿侧面 QFN (WBQB) 封装
• 宽工作电压范围：2V 至 6V
• 施密特触发输入可实现慢速或高噪声输入信号
• 低功耗
– ICC 典型值为 100nA
– 输入泄漏电流典型值为 ±100nA
• 电压为 6V 时，输出驱动为 ±7.8mA
2 应用
• 输出扩展
• LED 矩阵控制
• 7 段显示控制
• 8 位数据存储
3 说明
SN74HCS595-Q1 器件包含对 8 位 D 类存储寄存器进 行馈送的 8 位串行输入、并行输出移位寄存器。所有 输入均包括施密特触发架构，因此消除了由边沿变化缓 慢或高噪声输入信号导致的任何错误数据输出。存储寄 存器具有并行三态输出。移位寄存器和存储寄存器分别 有单独的时钟。移位寄存器具有一个直接覆盖清零 (SRCLR) 的串行 (SER) 输入和一个串行输出 (QH )，以 用于级联。当输出使能端 (OE) 输入为高电平时，存储 寄存器输出处于高阻抗状态。内部寄存器数据和串行输 出 (QH ) 不受 OE 端输入的影响。
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