2024/3/31 11:16:30
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1 特性
• 低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低阈值电压
• 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）
– 1.0mm × 0.6mm
• 超薄
– 高度为 0.2mm
• 集成静电放电 (ESD) 保护二极管
– 额定值 > 4kV 人体模型 (HBM)
– 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准
2 应用范围
• 针对负载开关应用进行了优化
• 针对通用开关应用进行了优化
• 电池应用
• 手持式和移动类应用
3 说明
这款 80mΩ、–20V P 通道 FemtoFET™MOSFET 经 过了设计和优化，能够最大限度减小许多手持式和移动 类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。
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