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CSD22205L_TI(德州仪器)中文资料_英文资料_价格_PDF手册

2024/3/31 11:55:27

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CSD22205L

采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

 


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1 特性

 

• 低电阻

• 1.2mm × 1.2mm 小尺寸封装

• 扁平设计,高度为 0.35mm

• 无铅

• 栅源电压钳位

• 栅极 ESD 保护

• 符合 RoHS 标准

• 无卤素

 

 

 

 

2 应用

 

• 电池管理

• 负载开关

• 电池保护

 

 

                                            


 

 

3 说明

 

该 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板栅格阵列 (LGA) NexFET™器件旨在以超薄且具有出色散热特性 的最小外形尺寸封装提供最低的导通电阻和栅极电荷。 基板栅格阵列 (LGA) 封装是一种带有金属接触板(而 非焊球)的器件芯片级封装。