封装: IGBT

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: FP50R12KT3

描述: 类型:NPT 集射极击穿电压（最大值）:1200V 集电极电流（Ic）（最大值）:9A 栅极阈值电压-VGE(th):5V @ 250uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.4V @ 15V,30A

编号: CY675111

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总额:￥310.00

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封装: MODULE

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: V72-26.120M

描述: V72-26.120M 20+ MODULE

编号: CY259039

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总额:￥480.00

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封装: PG-LQFP-144

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: SAK-XC2387A-104F80LR AB

描述: CPU内核:C166SV2 主频（MAX):144MHz 工作电压:3.13V ~ 3.63V ROM尺寸:2MB RAM大小:352KB I/O 数:119 A/D:32x12bit 额外特性:IIS,LIN

编号: CY718212

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封装: PG-TQFP-144

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: SAK-TC334LP-32F200F AA

描述: SAK-TC334LP-32F200F AA 21 PG-TQFP-144

编号: CY620868

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封装: PG-TO263-7

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: IPB180N04S4-H0

描述: IPB180N04S4-H0 21 PG-TO263-7

编号: CY903087

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封装: PG-TO263

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: IPB180N04S4-01

描述: IPB180N04S4-01 21 PG-TO263

编号: CY102051

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封装: PG-VQFN-48

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: TLE7189F

描述: TLE7189F 21 PG-VQFN-48

编号: CY055294

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封装: QFP48

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: TLE7189F

描述: TLE7189F 21 QFP48

编号: CY234049

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总额:￥15000.00

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封装: TO-247

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: IRFP4468PBF

描述: IRFP4468PBF 20+ TO-247

编号: CY762052

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封装: SSOP24

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: TLE7240SL

描述: TLE7240SL 20+ SSOP24

编号: CY050471

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封装: PG-DSOF-8

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: KP229E3111

描述: KP229E3111 21 PG-DSOF-8

编号: CY735242

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封装: TO-252-3

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: IPD50N04S4L-08

描述: IPD50N04S4L-08 21 TO-252-3

编号: CY840488

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封装: TO-252-3

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: IPD50N04S4-08

描述: IPD50N04S4-08 20+ TO-252-3

编号: CY688095

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总额:￥1000.00

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封装: PG-VQFN-48

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: TLE9262QX

描述: TLE9262QX 21 PG-VQFN-48

编号: CY988128

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封装: PG-DSO-8

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: TLE5501 E0001

描述: TLE5501 E0001 21 PG-DSO-8

编号: CY248029

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封装: PG-DSO-8-16

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: TLE5501E0001XUMA1

描述: TLE5501E0001XUMA1 21 PG-DSO-8-16

编号: CY506799

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封装: TO220

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: IRF3205PBF

描述: 类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:-12V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）:10mA 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA 漏源导通电阻:0.67mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）:140mW

编号: CY427288

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封装: TO220

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: IRF9540NLPBF

描述: 类型:N沟道(4个) 漏源电压（Vdss）:-12V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）:10mA 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA 漏源导通电阻:0.65mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）:125mW

编号: CY988507

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封装: DIP6

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: X5045

描述: X5045 20+ DIP6

编号: CY281391

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封装: IGBT

品牌: Infineon(英飞凌)

型号: FF450R12ME4

描述: FF450R12ME4 20+ IGBT

编号: CY880878

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