TPD1E05U06QDPYRQ1_TI(德州仪器)中文资料_英文资料_价格_PDF手册

2024/7/3 14:50:58

1 特性

• 符合AEC-Q101

– 人体放电模型(HBM)分类等级H3B

– 充电器件模型(CDM)分类等级C5

– 器件温度范围：–40°C至 125°C

• IEC61000-4-2 4 级 ESD 保护（请参阅ESDRatings—IEC Specification 表）

– ±12kV 接触放电

– ±15kV 气隙放电

• IEC61000-4-4 瞬态放电 (EFT) 保护

– 80A(5/50ns)

• IEC61000-4-5 浪涌保护

– 2.5A (8/20µs)

• I/O 电容0.42pF 至0.5pF（典型值）

• 直流击穿电压6.4V（最小值）

• 超低漏电流10nA（最大值）

• 低ESD钳位电压（在5ATLP下为14V）

• 简易直通路由封装

2 应用

• 终端设备

– 音响主机

– 后座娱乐系统

– 远程信息处理

– USB集线器

– 导航模块

– 媒体接口

• 接口

– USB2.0

– USB3.0

– HDMI1.4/2.0

– 低压差分信令(LVDS)

– DisplayPort– SIM卡

3 说明

TPDxE05U06-Q1 是一系列具有超低电容的单向瞬态电压抑制器(TVS)静电放电(ESD)保护二极管。这些器件旨在耗散那些高于IEC61000-4-24级国际标准中规定的最高水平的ESD冲击。超低负载电容特性使得这些器件非常适合保护任何高达6Gbps的高速信号应用。

这些器件还具有未经过汽车认证的型号：TPDxE05U06。