2024/7/3 14:50:58
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1 特性
• 符合AEC-Q101
– 人体放电模型(HBM)分类等级H3B
– 充电器件模型(CDM)分类等级C5
– 器件温度范围：–40°C至 125°C
• IEC61000-4-2 4 级 ESD 保护 （请参阅ESDRatings—IEC Specification 表）
– ±12kV 接触放电
– ±15kV 气隙放电
• IEC61000-4-4 瞬态放电 (EFT) 保护
– 80A(5/50ns)
• IEC61000-4-5 浪涌保护
– 2.5A (8/20µs)
• I/O 电容0.42pF 至0.5pF（典型值）
• 直流击穿电压6.4V（最小值）
• 超低漏电流10nA（最大值）
• 低ESD钳位电压（在5ATLP下为14V）
• 简易直通路由封装
2 应用
• 终端设备
– 音响主机
– 后座娱乐系统
– 远程信息处理
– USB集线器
– 导航模块
– 媒体接口
• 接口
– USB2.0
– USB3.0
– HDMI1.4/2.0
– 低压差分信令(LVDS)
– DisplayPort– SIM卡
3 说明
TPDxE05U06-Q1 是一系列具有超低电容的单向瞬态 电压抑制器(TVS)静电放电(ESD)保护二极管。这些 器件旨在耗散那些高于IEC61000-4-24级国际标准中 规定的最高水平的ESD冲击。超低负载电容特性使得 这些器件非常适合保护任何高达6Gbps的高速信号 应用。
这些器件还具有未经过汽车认证的型 号：TPDxE05U06。
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