2024/7/13 15:38:12
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1 特性
• TIGaN工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
• 支持高密度电源转换设计
– 与共源共栅或独立GaNFET相比具有卓越的系统性能
– 低电感8mmx8mmQFN封装简化了设计和布局
– 可调节驱动强度确保开关性能和EMI控制
– 数字故障状态输出信号
– 仅需 12V非稳压电源
• 集成栅极驱动器
– 零共源电感
– 20ns 传播延迟确保MHz级工作频率
– 工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性
– 25到100V/ns 的用户可调节压摆率
• 强大的保护
– 无需外部保护组件
– 过流保护，响应时间低于100ns
– 压摆率抗扰性高于150V/ns
– 瞬态过压抗扰度
– 过热保护
– 针对所有电源轨的UVLO保护
• 器件选项：
– LMG3410R070：锁存过流保护
– LMG3411R070：逐周期过流保护
2 应用
• 高密度工业电源和消费类电源
• 多电平转换器
• 光伏逆变器
• 工业电机驱动器
• 不间断电源
• 高电压电池充电器
3 说明
LMG341xR070 GaN 功率级具有集成型驱动器和保护 功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的 功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅 MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损 耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节 点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高 效拓扑。
LMG341xR070 通过集成一系列独一无二的特性提供 传统共源共栅GaN和独立GaNFET的替代产品， 以简化设计，最大限度地提高可靠性并优化任何电源的 性能。集成式栅极驱动器支持100V/ns开关（Vds振 铃几乎为零），低于100ns的限流可自行防止意外击 穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可 提供自监控功能。
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