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CSD85301Q2_TI(德州仪器)中文资料_英文资料_价格_PDF手册

2024/7/5 14:39:28

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CSD85301Q2

采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、27mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

 

 

 

 

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1特性

 

 

•低导通电阻

•两个独立的MOSFET

•节省空间的小外形尺寸无引线(SON)2mm×2mm塑料封装

•针对5V栅极驱动器而优化

•雪崩级

•无铅且无卤素

•符合RoHS环保标准

 

 

 

 

2应用范围

 

•用于网络互联,电信和计算系统的负载点同步降压转换器

•针对笔记本个人电脑(PC)和平板电脑的适配器或USB输入保护

•电池保护

 

 

                                          

 

 

3说明

 

CSD85301Q2是一款20V、23mΩN通道器件,它具有两个独立的MOSFET,并且采用SON2mmx2mm塑料封装。这两个场效应管(FET)采用半桥配置,适用于同步降压等电源应用。此外,该部件还可用于适配器、USB输入保护和电池充电应用。两个FET的漏源导通电阻均较低,可最大程度降低损耗并减少元件数,非常适合空间受限型应用。