2024/3/24 19:07:05
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1 特性
• 超低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低阈值电压
• 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）
– 1.0mm × 0.6mm
• 超薄
– 高度 0.35mm
• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
– 额定值 > 4kV 人体放电模型 (HBM)
– 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 标准
2 应用范围
• 针对负载开关应用进行了优化
• 针对通用开关应用进行了优化
• 单节电池应用
• 手持式和移动类应用
3 说明
此 90mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经 过设计和优化，能更大程度减小在许多手持式和移动应 用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
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