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WSD30160DN56

商品型号： WSD30160DN56

制造厂商： WINSOK微硕

封装规格： DFN5x6-8

商品毛重： 0.20g

商品编号： CY965114

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：62.5W(Tc) 类型：N沟道 N沟道.30V.120A.1.9mΩ

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：62.5W(Tc) 类型：N沟道 N沟道.30V.120A.1.9mΩ

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WSD30160DN56由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSD30160DN56价格参考￥9.525300。WINSOK微硕WSD30160DN56封装/规格：DFN5x6-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：62.5W(Tc) 类型：N沟道 N沟道.30V.120A.1.9mΩ

手机版：WSD30160DN56